13 февраля корпорация Intel ( http://www.intel.com ) и компания Samsung Electronics ( http://www.samsung.com ) объявили о заключении соглашения, в соответствии с которым Intel приобретает на сумму 1,3 млрд. долл. акции фабрики по производству полупроводников фирмы Samsung. Строительство фабрики ведется в Остине (шт. Техас).
Как предусмотрено соглашением, Samsung сохранит операционное и технологическое управление фабрикой и будет снабжать Intel произведенными микросхемами памяти. Другие условия соглашения не разглашаются.
Фабрика, на которой ежемесячно будут изготовляться 25 тыс. пластин размером 200 мм, должна быть введена в строй в конце 1997 г. В “чистой комнате” (класс чистоты 1) площадью 125 тыс. кв. футов планируется развернуть производство новейших микросхем памяти по технологии 0,5 мкм и менее.
